報告時間：2021年7月8日周四14：30-17:00

報告地點：8B214B

報告題目一：先進多功能光電材料的開發及應用（呂偉副研究員）

報告人簡介：呂偉，男，博士，副研究員。博士畢業于中國科學院長春光機所，目前主要研究方向為多功能光電材料的開發，及其在照明顯示、醫學診療等方面的應用研究。

報告簡介：光電材料在普通照明，特種照明、廣色域顯示、量子點顯示、激光顯示、核醫學成像、輻射探測等領域發揮重要作用。如何開發各領域針對性新型光電材料及評價其性能是目前面臨的關鍵難題。本報告将實際應用出發，基于本人工作，講述多功能光電材料的開發及應用。

報告題目二：助熔劑法生長GaN晶體的研究（吳熙博士）

報告人簡介：吳熙，物理與光電工程系博士後。主要從事寬禁帶半導體晶體的生長和以及晶體缺陷表征方面的研究工作。

報告簡介：随着現代科學技術的不斷發展，各種工作系統對微電子器件和光電子器件性能的要求也在不斷提高。然而，由于受制于材料本征物理性質的限制，傳統Si基器件和GaAs基器件通過結構優化對于性能的提升已經非常有限。因此，尋找新型的半導體材料制作器件變得非常迫切。GaN是新型寬禁帶半導體材料的代表之一，憑借其擊穿電壓高、禁帶寬度寬、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優異性質，已經成為制作新一代微電子器件和光電子器件的理想材料，并在武器裝備、航空航天、醫療衛生、5G網絡通訊、照明、新能源汽車和自動駕駛等領域都具有非常廣闊的應用前景。然而，GaN基器件在諸如可靠性、制備工藝、器件性能等領域還有很多科學問題和技術問題亟待解決。其中，高結晶質量GaN襯底的缺乏是阻礙器件發展的一個主要技術瓶頸。Na助熔劑法具有生長條件溫和，成本低廉，GaN晶體結晶質量高和晶體生長速度較快的優點，因此具有在工業上實現大尺寸高質量GaN晶體生長的潛質。本報告将從助熔劑法的發展開始，基于本人工作，講述助熔劑法生長GaN晶體的研究進展。

（一審：李豔霞；二審：任斌；三審：胡耀華）